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富士通公布車子級(jí)4Mbit FRAM 事業(yè)溫度為125°C

2021-7-13 21:46| 發(fā)布者: wdb| 查看: 200| 評論: 0|原作者: [db:作者]|來自: [db:來源]

摘要: 蓋世汽車訊據(jù)外媒報(bào)道 富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案 FujitsuSemiconductorMemorySolution 公司宣布開始量產(chǎn)4MbitFRAM 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 MB85RS4MTY 可在125°C高溫下運(yùn)行 圖片來源 富士通 該FRAM產(chǎn)

　　蓋世車子訊 據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案(Fujitsu Semiconductor Memory Solution)企業(yè)宣告最初量產(chǎn)4Mbit FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85RS4MTY，可在125°C高溫下運(yùn)轉(zhuǎn)。

　　
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　　(相片來自：富士通)

　　該FRAM產(chǎn)物適合AEC-Q1001級(jí)車子準(zhǔn)則，十分適合產(chǎn)業(yè)機(jī)器人和車子利用，比如須要高可靠性電子元件的頂級(jí)駕馭協(xié)助體系(ADAS)。

　　
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　　(相片來自：富士通)

　　FRAM是一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)物，其讀寫耐久性高、寫入速度快，且功耗低，并已量產(chǎn)20好幾年。而這類帶有SPI接口的FRAM在可1.8V至3.6V的寬電源電壓下運(yùn)轉(zhuǎn)。在-40°C至+125°C的溫度范疇內(nèi)，該FRAM可確保10萬億次讀/寫周期和低事業(yè)電流，比如第一大4mA的寫入電流(事業(yè)頻次為50MHz)。另外，該產(chǎn)物還采納8引腳DFN(Dual Flatpack No-leaded，雙扁平?jīng)]有引線)封裝。

　　該FRAM產(chǎn)物可解決在高可靠性利用中運(yùn)用EEPROM(電可擦除只讀存儲(chǔ)器)或SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)發(fā)生的一系列難題。如在在運(yùn)用EEPROM時(shí)，源于寫耐久性規(guī)范的節(jié)制，使用者難以頻繁紀(jì)錄數(shù)據(jù)，但運(yùn)用FRAM可確保10萬億讀/寫周期，同一時(shí)間還可行在產(chǎn)生突發(fā)車禍或停電時(shí)，庇護(hù)寫入的數(shù)據(jù)，幸免數(shù)據(jù)丟失；運(yùn)用SRAM時(shí)，會(huì)難以取出電池保存數(shù)據(jù)，但運(yùn)用FRAM非易失性存儲(chǔ)器，可行有用保存數(shù)據(jù)。

　　
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　　(相片來自：富士通)

　　總之，該FRAM不但可行幫助消費(fèi)者減少開發(fā)壓力、加強(qiáng)消費(fèi)者產(chǎn)物功能，還可下降本錢。

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