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原土高功率車規(guī)級IGBT成功量產(chǎn)，“車子芯”提速國產(chǎn)化

2021-6-25 23:27| 發(fā)布者: wdb| 查看: 144| 評論: 0|原作者: [db:作者]|來自: [db:來源]

摘要: 6月24日 華虹半導(dǎo)體 股份代號 1347 HK 與斯達(dá)半導(dǎo) 股份代號 603290 在 華虹半導(dǎo)體車規(guī)級IGBT暨12英寸IGBT規(guī)模量產(chǎn)儀式 上簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議 宣布雙方攜手打造的高功率車規(guī)級IGBT芯片已通過終端車企產(chǎn)品驗證 廣泛進(jìn)入 ...

　　6月24日，華虹半導(dǎo)體(股份代號：1347.HK)與斯達(dá)半導(dǎo)(股份代號：603290)在“華虹半導(dǎo)體車規(guī)級IGBT暨12英寸IGBT范圍量產(chǎn)儀式”上簽定策略合作合同，宣告雙方攜手塑造的高功率車規(guī)級IGBT芯片已經(jīng)過末端車企產(chǎn)物認(rèn)證，廣大映入了能源單元等車子利用市場。

　　
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　　相片來自：斯達(dá)半導(dǎo)

　　在IGBT范疇，華虹半導(dǎo)體與斯達(dá)半導(dǎo)的合作由來已久。鑒于雙方的結(jié)合，華虹半導(dǎo)體的產(chǎn)物在電機(jī)操控器、車載充電機(jī)OBC、空調(diào)電動緊縮機(jī)的電控及暖風(fēng)加熱PTC等范疇均有廣大的利用。

　　2020年，華虹半導(dǎo)體將8英寸IGBT技藝引入12英寸制造線，經(jīng)過不到一年的研發(fā)在12英寸制造線上成功構(gòu)建了IGBT晶圓制造工藝，產(chǎn)物順利經(jīng)過了消費者驗證，成為全世界首家同一時間在8英寸和12英寸制造線量產(chǎn)領(lǐng)先進(jìn)步型溝槽柵電場截至型IGBT的純晶圓代工公司。日前，華虹半導(dǎo)體12英寸IGBT產(chǎn)出已超10,000片晶圓。

　　而斯達(dá)半導(dǎo)，好幾年來則一直著力于IGBT芯片設(shè)置和IGBT模塊的設(shè)置、生產(chǎn)及測試。此中2020年，斯達(dá)半導(dǎo)利用于汽油車微混體系的 48V BSG功率組件實現(xiàn)了大量量裝車?yán)茫塾嬇涮壮?10 萬輛節(jié)能汽油車子，同一時間，斯達(dá)半導(dǎo)利用于下一代 BSG 的車規(guī)級功率組件也在順利開發(fā)。

　　此外，昨年斯達(dá)半導(dǎo)鑒于第六代 Trench Field Stop 技藝的 1200V IGBT 芯片也成功在 12 寸產(chǎn)線上開發(fā)，并最初批量制造。而同年研發(fā)成功的車規(guī)級 SGT MOSFET，則估計 2021 年最初批量供貨。

　　市場化方面，2020 年斯達(dá)半導(dǎo)新加了若干國家內(nèi)部外知名車型平臺定點，這讓得昨年斯達(dá)半導(dǎo)鑒于第六代 Trench Field Stop 技藝的 650V/750V IGBT 芯片及配套的快規(guī)復(fù)二極管芯片在新燃料車子產(chǎn)業(yè)運(yùn)用比率明顯提升。 另外，該企業(yè)利用于新燃料車子的車規(guī)級 SiC 模塊2020年也得到了國家內(nèi)部外多家著名車企和 Tier1 消費者的名目定點。

　　全體來看，昨年斯達(dá)半導(dǎo)制造的車子級 IGBT 模塊合計配套超越 20 萬輛新燃料車子，其在車用空調(diào)、充電樁、電子助力調(diào)轉(zhuǎn)方向等新燃料車子半導(dǎo)體器件份額均獲得了進(jìn)一步的提升。

　　當(dāng)前，受益于新燃料車子資產(chǎn)的迅速進(jìn)行，IGBT資產(chǎn)也迎接了新的進(jìn)行機(jī)緣。依據(jù)集邦征詢數(shù)據(jù)，2025 年華夏 IGBT 市場范圍將達(dá)到 522 億國民幣，復(fù)合增添率達(dá) 19.11%，可謂快速增添可期。

　　因而斯達(dá)半導(dǎo)指明，未來企業(yè)將持續(xù)發(fā)力新燃料車子及汽油車子半導(dǎo)體器件市場，在新燃料車子用驅(qū)動操控器范疇為消費者提供全功率段的車規(guī)級 IGBT 模塊，并接著加大 SiC 功率芯片的研發(fā)力度，盡快公布適合市場要求的自助的車規(guī)級 SiC 芯片，以改善協(xié)助驅(qū)動和車用電源市場的產(chǎn)物布置。而在汽油車用車子電子市場，則將依靠 48V BSG 功率組件，開發(fā)更多的汽油車用車規(guī)級功率器件。

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