12月10日晚，比亞迪在寧波發(fā)表了在車規(guī)級范疇具備標桿性意義的IGBT4.0技藝。這項技藝，是與電池同步作用電動車進行的焦點技藝。這次比亞迪的高調表示也出現出其在新燃料車范疇的雄厚技藝儲備以及先發(fā)優(yōu)勢。

就在大會上，比亞迪還宣告早已布置功能愈加優(yōu)異的第三代半導體資料SiC（碳化硅），最快有望于2019年公布裝載SiC電控的電動車。

IGBT 全稱“絕緣柵雙極型晶體管”，便是咱們常說的“芯片”，而IGBT芯片，與能源電池電芯并稱為電動車的 “雙芯”，是作用電動車功能的要害技藝，其本錢占全車本錢的5%左右。IGBT在未來3-5年將接著成為制約新燃料車子產業(yè)進行的最重要的阻礙之一，IGBT因技藝難、投資大，與能源電池一同，長久以來制約了新燃料車子的大范圍商業(yè)化。

放到電動車上來看，IGBT干脆操控驅動體系，打算了機動車的扭矩和第一大輸出功率等。說的直白點兒，便是關乎了“功能”以及“能耗”，咱們所熟知的比亞迪王朝系列車型亮眼的542技藝，正是有IGBT的功勞。

實是上，比亞迪是華夏第全家實現車規(guī)級IGBT大范圍量產、也是獨一全家具有IGBT完整資產鏈的車企。

總的來看，華夏IGBT市場一直被世界巨頭壟斷，90%的份額掌握在英飛凌、三菱等國外巨頭手中。唯有在車規(guī)級范疇，比亞迪打破了海外專利和技藝封鎖。

早在十幾年前，當市場也不看好電動車的前景、甚而對IGBT也不太理解的概況下，在2003年就最初布置電動車的比亞迪就在研發(fā)團隊創(chuàng)建、產線建造等各方面投入重金，默默布置IGBT資產。通過十余年探尋進行，比亞迪成功研發(fā)出最新的車規(guī)級產物IGBT4.0，并準備好大范圍投放市場。

技藝目標方面：在芯片損失、模塊溫度重復能力、電流輸出能力等要害目標上，比亞迪IGBT4.0產物達到世界優(yōu)先水準。

生產IGBT難度是十分大的，在大范圍利用的1200V車規(guī)級IGBT芯片的晶圓厚度上，比亞迪處于優(yōu)先水準，可將晶圓厚度減薄到120um（約兩根頭發(fā)絲直徑）。電流輸出能力較當前市場主流的IGBT高15%，同等工況下，概括損失較當前市場主流的IGBT下降了約20%，溫度重復生命可行做到當前市場主流IGBT的10倍以上。

這次發(fā)表會上，比亞迪還解放了另一重磅信息：比亞迪已投入巨資布置功能愈加優(yōu)異的第三代半導體資料SiC（碳化硅），有望于2019年公布裝載SiC電控的電動車。估計到2023年，比亞迪麾下的電動車將周全裝載SiC電控。

就在一會兒前完畢的廣州車交會上，比亞迪最新一代唐EV正規(guī)對外預售。其百千米提速4.4秒、續(xù)航路程600千米（第一大續(xù)航路程）的功能沒有疑是其火爆暢銷的主因所在，而這樣的功能體現，離不開IGBT對電流明確、有用的操控。

從2015到2017年，比亞迪電動車的銷售數量曾經延續(xù)三年位居全世界第一。這與比亞迪在IGBT等焦點技藝范疇的提早布置是有相當大關連的。

盡管在未來較舊一段時間內，IGBT仍將供不應求。可是隨著電動車功能不停地提高，對功率半導體組件提議了更高的請求，IGBT技藝也將逼近硅資料的功能極限。

比亞迪SiC晶圓

就在這次大會，比亞迪宣告早已布置第三代半導體資料SiC，并將整合SiC基半導體全資產鏈，著力于下降SiC器件的生產本錢，加速其在電動車范疇的利用。

至于這項技藝，比亞迪顯示最快在2019年公布裝載SiC電控的電動車，估計到2023年，比亞迪將實現SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的周全替代，將全車功能在現存根基上再提高10%。可視，提早好幾年布置新燃料全資產鏈的比亞迪，還將為全個產業(yè)帶來更多的驚喜。

（圖/文/攝：全球車子網 宗澤）