當前，理想車子官方宣告，其功率半導體研發(fā)及制造基地在江蘇蘇州高新區(qū)正規(guī)發(fā)動建造，最重要的專注于第三代半導體碳化硅車規(guī)功率模塊的自助研發(fā)及制造，塑造車子專用功率模塊的自助設(shè)置和制造生產(chǎn)能力。估計產(chǎn)線將在2024年投產(chǎn)，計劃產(chǎn)能可達240萬只碳化硅半橋功率模塊。

　　碳化硅功率半導體隸屬第三代半導體，對照日前較為普遍的硅資料功率半導體器件，具備耐高壓、耐高溫、關(guān)斷頻次高、損失低等優(yōu)點，更符合利用在日前更被看沒有問題800V高壓電驅(qū)動體系中，以及配套的1000V高壓直流快充。

『SiC功率半導體器件』

　　獲悉，理想車子功率半導體研發(fā)及制造基地由理想車子與湖南三安半導體一同出資創(chuàng)建的蘇州斯科半導體企業(yè)塑造，估計2022年內(nèi)竣工后映入設(shè)施安裝和調(diào)試階段，2024年正規(guī)投產(chǎn)。理想車子結(jié)合創(chuàng)始人兼總裁沈亞楠顯示，自助研發(fā)和制造第三代半導體碳化硅車規(guī)功率模塊，將有助于確立理想車子的技藝和產(chǎn)物優(yōu)先優(yōu)勢，同一時間有用保證量產(chǎn)供給。（文/車子之家 孫一超）