12月10日晚，比亞迪在寧波發(fā)表了在車(chē)規(guī)級(jí)范疇具備標(biāo)桿性意義的IGBT4.0技藝。這項(xiàng)技藝，是與電池同步作用電動(dòng)車(chē)進(jìn)行的焦點(diǎn)技藝。這次比亞迪的高調(diào)表示也出現(xiàn)出其在新燃料車(chē)范疇的雄厚技藝儲(chǔ)備以及先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

就在大會(huì)上，比亞迪還宣告早已布置功能愈加優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體資料SiC（碳化硅），最快有望于2019年公布裝載SiC電控的電動(dòng)車(chē)。

IGBT 全稱“絕緣柵雙極型晶體管”，便是咱們常說(shuō)的“芯片”，而IGBT芯片，與能源電池電芯并稱為電動(dòng)車(chē)的 “雙芯”，是作用電動(dòng)車(chē)功能的要害技藝，其本錢(qián)占全車(chē)本錢(qián)的5%左右。IGBT在未來(lái)3-5年將接著成為制約新燃料車(chē)子產(chǎn)業(yè)進(jìn)行的最重要的阻礙之一，IGBT因技藝難、投資大，與能源電池一同，長(zhǎng)久以來(lái)制約了新燃料車(chē)子的大范圍商業(yè)化。

放到電動(dòng)車(chē)上來(lái)看，IGBT干脆操控驅(qū)動(dòng)體系，打算了機(jī)動(dòng)車(chē)的扭矩和第一大輸出功率等。說(shuō)的直白點(diǎn)兒，便是關(guān)乎了“功能”以及“能耗”，咱們所熟知的比亞迪王朝系列車(chē)型亮眼的542技藝，正是有IGBT的功勞。

實(shí)是上，比亞迪是華夏第全家實(shí)現(xiàn)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT大范圍量產(chǎn)、也是獨(dú)一全家具有IGBT完整資產(chǎn)鏈的車(chē)企。

總的來(lái)看，華夏IGBT市場(chǎng)一直被世界巨頭壟斷，90%的份額掌握在英飛凌、三菱等國(guó)外巨頭手中。唯有在車(chē)規(guī)級(jí)范疇，比亞迪打破了海外專利和技藝封鎖。

早在十幾年前，當(dāng)市場(chǎng)也不看好電動(dòng)車(chē)的前景、甚而對(duì)IGBT也不太理解的概況下，在2003年就最初布置電動(dòng)車(chē)的比亞迪就在研發(fā)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)建、產(chǎn)線建造等各方面投入重金，默默布置IGBT資產(chǎn)。通過(guò)十余年探尋進(jìn)行，比亞迪成功研發(fā)出最新的車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)物IGBT4.0，并準(zhǔn)備好大范圍投放市場(chǎng)。

技藝目標(biāo)方面：在芯片損失、模塊溫度重復(fù)能力、電流輸出能力等要害目標(biāo)上，比亞迪IGBT4.0產(chǎn)物達(dá)到世界優(yōu)先水準(zhǔn)。

生產(chǎn)IGBT難度是十分大的，在大范圍利用的1200V車(chē)規(guī)級(jí)IGBT芯片的晶圓厚度上，比亞迪處于優(yōu)先水準(zhǔn)，可將晶圓厚度減薄到120um（約兩根頭發(fā)絲直徑）。電流輸出能力較當(dāng)前市場(chǎng)主流的IGBT高15%，同等工況下，概括損失較當(dāng)前市場(chǎng)主流的IGBT下降了約20%，溫度重復(fù)生命可行做到當(dāng)前市場(chǎng)主流IGBT的10倍以上。

這次發(fā)表會(huì)上，比亞迪還解放了另一重磅信息：比亞迪已投入巨資布置功能愈加優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體資料SiC（碳化硅），有望于2019年公布裝載SiC電控的電動(dòng)車(chē)。估計(jì)到2023年，比亞迪麾下的電動(dòng)車(chē)將周全裝載SiC電控。

就在一會(huì)兒前完畢的廣州車(chē)交會(huì)上，比亞迪最新一代唐EV正規(guī)對(duì)外預(yù)售。其百千米提速4.4秒、續(xù)航路程600千米（第一大續(xù)航路程）的功能沒(méi)有疑是其火爆暢銷(xiāo)的主因所在，而這樣的功能體現(xiàn)，離不開(kāi)IGBT對(duì)電流明確、有用的操控。

從2015到2017年，比亞迪電動(dòng)車(chē)的銷(xiāo)售數(shù)量曾經(jīng)延續(xù)三年位居全世界第一。這與比亞迪在IGBT等焦點(diǎn)技藝范疇的提早布置是有相當(dāng)大關(guān)連的。

盡管在未來(lái)較舊一段時(shí)間內(nèi)，IGBT仍將供不應(yīng)求�？墒请S著電動(dòng)車(chē)功能不停地提高，對(duì)功率半導(dǎo)體組件提議了更高的請(qǐng)求，IGBT技藝也將逼近硅資料的功能極限。

比亞迪SiC晶圓

就在這次大會(huì)，比亞迪宣告早已布置第三代半導(dǎo)體資料SiC，并將整合SiC基半導(dǎo)體全資產(chǎn)鏈，著力于下降SiC器件的生產(chǎn)本錢(qián)，加速其在電動(dòng)車(chē)范疇的利用。

至于這項(xiàng)技藝，比亞迪顯示最快在2019年公布裝載SiC電控的電動(dòng)車(chē)，估計(jì)到2023年，比亞迪將實(shí)現(xiàn)SiC基車(chē)用功率半導(dǎo)體對(duì)硅基IGBT的周全替代，將全車(chē)功能在現(xiàn)存根基上再提高10%�？梢�，提早好幾年布置新燃料全資產(chǎn)鏈的比亞迪，還將為全個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更多的驚喜。

（圖/文/攝：全球車(chē)子網(wǎng) 宗澤）